Загрузка каталога

Каталог товаров



Объем памяти
Формат памяти
Тип памяти
Напряжение питания
Технология
Корпус
Интерфейс памяти
Время записи слова, стр.
Тип монтажа
Корпус (в поставке)
Рабочая температура

Изображение Наименование на фирме НАИМЕНОВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ Характеристика Наличие ЦЕНА ЗА ЕД.
ГРН, БЕЗ НДС
IS43R16320D-5BLI IS43R16320D-5BLI
Производитель: ISSI

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA

110
1+ : 209,99
K4S641632F-TC75 K4S641632F-TC75
Производитель: SAMSUNG

МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)

100
1+ : 44,39
10+ : 42,09
100+ : 38,89
IS42S32800J-7TL IS42S32800J-7TL
Производитель: ISS

eef

62
1+ : 201,53
1+ : 186,92
1+ : 182,54
K4S281632I-UC75 K4S281632K-UC75
Производитель: SAMSUNG

28Mb (8M X 16) F-die SDRAM LVTTL 133MHz CL=3 54pin TSOP(II) 0°C ~ 70°C Lead Free

61
1+ : 57,29
16+ : 55,12
TMS44C256D1 TMS44C256D1
Производитель: TI

Dynamic RAM

25
1+ : 21,96
K4S641632F-TC75 K4S641632F-TC75
Производитель: SAMSUNG

МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)

22
1+ : 43,69
10+ : 40,36
100+ : 36,69
IS42S32400B-7TL IS42S32400B-7TL
Производитель: ISS

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 86TSOP

12
1+ : 107,97
1+ : 99,97
1+ : 91,97
K4S281632I-UC75 K4S281632K-UC75
Производитель: SAMSUNG

28Mb (8M X 16) F-die SDRAM LVTTL 133MHz CL=3 54pin TSOP(II) 0°C ~ 70°C Lead Free

4
1+ : 49,44
16+ : 47,60
K4M561633G-BN750 K4M561633G-BN750
Производитель: SAMSUNG

SDRAM 256M(16Mx16) 7.5NS -25/+80C 3V

3
1+ : 103,37
1+ : 95,71
1+ : 88,06
MT41J128M16JT-125:K MT41J128M16JT-125:K TR
Производитель: MICRON

IC DDR3 SDRAM PAR 2GBit 1.25ns FBGA96 [0;95]'C

3
1+ : 134,42
20+ : 125,39
100+ : 114,36