Загрузка каталога

Каталог товаров

Тип монтажа
Тип корпуса
Корпус (в поставке)
Тип транзистора
Vce (макс.) @ Ib, Ic
Ток отсечки колл. (макс.)
Усиление hFE (мин.) @ Ic, Vce
Частота перехода
Рабочая температура
Бросок тока (неповторяем.)
Тип SCR
Тип полевого транзистора
Входная емкость (макс.)
Рассеив. мощность (макс.)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
Технология
I стока, постоянный, при 25 ° C
Управляющ. напряжение
Vgs(th) (макс.) @ Id
Vgs (макс.)
Характеристики FET
Напряжение затвор-исток
Vce (вкл.) (Макс.)
Энергия переключения
Тип входа
Td (вкл. / выкл.), при 25 ° C
Условия испытаний
Частота
Номинальный ток
Коэффициент шума
Тип тиристора
Конфигурация
Заряд затвора (макс.)
Максимальная мощность
Тип IGBT
Ток на коллекторе (макс.)
Напряжение откл. (макс.)
Помехи (дБ Тип @ f)
Усиление
Выходная мощность
Вход
Терморезистор с отр. ТКС
Номинальное напряжение
Резистор - база (R1)
Сопр. Эмиттер-база (R2)
Тип переключателя
Количество выходов
Коэффициент вход/выход
Конфигурация выхода
Тип выхода
Интерфейс
Напряжение под нагрузкой
Напряжение питания
Выходной ток
Rds On (Тип)
Свойства
Защита от неисправностей
Состав
Кол-во тринисторов, диодов
Конфигурация драйвера
Тип канала
Тип затвора
Напряжение питания
Лог.уровень - нижн./верхн.
Пиковый выходн. Ток
Время нарастан./затухан.
Напряжение прерывания
Тип диода
Ток средн. выпрям. на диод
Скорость
Рабоч. Температура
Конфигурация диода
Сбросить фильтры
Доступно: 6646

Изображение Наименование на фирме НАИМЕНОВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ Характеристика Наличие ЦЕНА ЗА ЕД.
ГРН, БЕЗ НДС
10303806 PDTC144ET PDTC144ET,215
Производитель: NXP

Транзистор D-TRA NPN S PDTC144ET Gurt

68574
50+ : 0,27
9000+ : 0,25
18000+ : 0,24
BC847B BC847BLT3G
Производитель: ONS

TRANS NPN, 45V, 100mA, H=200-450, SOT23

44344
50+ : 0,26
500+ : 0,23
5000+ : 0,21
BC807-40 BC807-40LT1G
Производитель: ONS

PNP. 45V. 500mA. H=250-600. SOT23

21800
50+ : 0,33
500+ : 0,31
5000+ : 0,28
BC856B BC856BLT1G
Производитель: ON SEMICONDUCTOR

PNP, 65V, 100mA, H=200-450, SOT23

17500
50+ : 0,28
500+ : 0,25
5000+ : 0,23
BC847C BC847C,215
Производитель: NEXPERIA

NPN. 45V. 100mA. H=400-830. SOT23-3

16864
50+ : 0,25
500+ : 0,24
5000+ : 0,22
BC848C BC848CLT1G
Производитель: ON SEMICONDUCTOR

NPN, 30V, 100mA, H=420-800, SOT23

15000
50+ : 0,23
100+ : 0,22
500+ : 0,20
MMBTA92 MMBTA92LT1
Производитель: ONS

PNP High Voltage Amplifier SOT-23

13548
10+ : 0,86
BC847A BC847A,215
Производитель: NEXPERIA

NPN. 45V. 100mA. H=110-220. SOT23

12860
50+ : 0,25
500+ : 0,23
5000+ : 0,21
IRF830 IRF830PBF
Производитель: VISHAY

4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

12495 по запросу
BC846B BC846BLT1G
Производитель: ONS

NPN, 65V, 100mA, H=200-450, SOT23

11900
50+ : 0,28
500+ : 0,25
5000+ : 0,22