Загрузка каталога

Каталог товаров

Рабочая температура
Тип монтажа
Тип корпуса
Корпус (в поставке)
Тип IGBT
Vce (вкл.) (Макс.)
Энергия переключения
Тип входа
Td (вкл. / выкл.), при 25 ° C
Условия испытаний
Конфигурация
Вход
Терморезистор с отр. ТКС
Тип полевого транзистора
Технология
I стока, постоянный, при 25 ° C
Управляющ. напряжение
Vgs(th) (макс.) @ Id
Vgs (макс.)
Рассеив. мощность (макс.)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
Сбросить фильтры
Доступно: 466

Изображение Наименование на фирме НАИМЕНОВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ Характеристика Наличие ЦЕНА ЗА ЕД.
ГРН, БЕЗ НДС
APT75GN60LDQ3 APT75GN60LDQ3G
Производитель: Microsemi

IGBT 600V 155A 536W TO264

778 по запросу
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3TRL
Производитель: IXYS

IGBT 1200V 40A 180W TO263

292
1+ : 65,70
10+ : 60,83
100+ : 55,97
APT13F120B APT13F120B
Производитель: MICROSEMI

MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

262
1+ : 323,94
1+ : 267,00
1+ : 186,44
DIM200WHS12-A000 DIM200WHS12-A000
Производитель: DNX

Half bridge IGBT Module 200A/1200V

236
1+ : 3 044,89
10+ : 2 810,67
100+ : 2 576,45
IGW25T120 IGW25T120
Производитель: INF

Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology 50A/1200V

208
1+ : 62,30
10+ : 57,85
100+ : 53,40
IRG4PC60U IRG4PC60UPBF
Производитель: IRF

IGBT 600V 75A 520W Through Hole TO-247AC

100
1+ : 128,75
10+ : 115,88
25+ : 108,15
IRGB20B60PD1 IRGB20B60PD1PBF
Производитель: IRF

IGBT W/DIODE 600V 40A TO220

60
1+ : 76,11
1+ : 70,47
1+ : 64,83
IRG4PC50U IRG4PC50UPBF
Производитель: IRF

IGBT N-CH 600V 55A Vce=1.65V TO247AC

36
1+ : 68,75
10+ : 63,35
300+ : 57,94
SKM75GAL123D SKM75GAL123D
Производитель: SMK

IGBT Modules Chopper I=75A(T=25C) Vce=1200V Vce(sat)=2,5V

23
1+ : 1 233,54
IRF2807 IRF2807PBF
Производитель: INF

Power MOSFET, 75V, 82A TO-220

18
1+ : 14,24
1+ : 13,19
1+ : 12,13