Память динамическая (DRAM)

Память асинхроонная DRAM (1)

Память синхроонная DRAM (75)

Сортировать

Есть на складе VD MAIS

Фильтр по параметрам

Обновление цен и остатков

	Название VD MAIS	НАЗВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ	Характеристики	Наличие	ЦЕНА ЗА ЕД. ГРН	Подробнее об НДС
	IS43R16320D-5BLI	IS43R16320D-5BLI	Производитель: ISSI DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA	110	1+ : 213,05	Количество:
	K4S641632F-TC75	K4S641632F-TC75	Производитель: SAMSUNG МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)	90	1+ : 45,04 0+ : 42,70	Количество:
	MT46V16M16CY-5B IT:M	MT46V16M16CY-5B IT:M	Производитель: MICRON IC DDR SDRAM 256Mbit(16Mx16) PAR 5NS TFBGA60 [-40;85]'C	80	1+ : 170,19	Количество:
	TMS44C256D1	TMS44C256D1	Производитель: TI Dynamic RAM	25	1+ : 22,28	Количество:
	AS4C16M16MSA-6BIN	AS4C16M16MSA-6BIN	Производитель: ALLIANCE DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT	20	1+ : 212,02 0+ : 196,31	Количество:
	HYB25D512160CF-5	HYB25D512160CF-5	Производитель: QIMONDA RAM память, объёмом 512 Мбит, в корпусе FBGA60 . Напряжение питания: 3...3.6 В . Рабочая температура: 0...70 °C .	14	1+ : 74,44	Количество:
	IS42S32400B-7TL	IS42S32400B-7TL	Производитель: ISS 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 86TSOP	12	1+ : 114,73	Количество:
	MT41K512M16HA-107	MT41K512M16HA-107:A	Производитель: MICRON IC SDRAM DDR3 8G 512MX16 FBGA96	10	1+ : 635,87 700+ : 579,35 1500+ : 551,09	Количество:
	K4S641632F-TC75	K4S641632F-TC75	Производитель: SAMSUNG МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)	10	1+ : 44,33 0+ : 40,94	Количество:
	MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L	MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L	Производитель: MICRON VFBGA 90/A°/4MX32 SDRAM PLASTIC PBF 3.3V	8	1+ : 250,73	Количество: