Память динамическая (DRAM)

Название VD MAIS НАЗВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ Характеристики Наличие ЦЕНА ЗА ЕД. ГРН
Подробнее об НДС
IS43R16320D-5BLI IS43R16320D-5BLI
Производитель: ISSI

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA

110
склад VD MAIS
1+ : 205,02
K4S641632F-TC75 K4S641632F-TC75
Производитель: SAMSUNG

МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)

90
склад VD MAIS
1+ : 43,34
0+ : 41,09
MT46V16M16CY-5B IT:M MT46V16M16CY-5B IT:M
Производитель: MICRON

IC DDR SDRAM 256Mbit(16Mx16) PAR 5NS TFBGA60 [-40;85]'C

80
склад VD MAIS
1+ : 160,42
TMS44C256D1 TMS44C256D1
Производитель: TI

Dynamic RAM

25
склад VD MAIS
1+ : 21,44
AS4C16M16MSA-6BIN AS4C16M16MSA-6BIN
Производитель: ALLIANCE

DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT

20
склад VD MAIS
1+ : 204,03
0+ : 188,91
HYB25D512160CF-5 HYB25D512160CF-5
Производитель: QIMONDA

RAM память, объёмом 512 Мбит, в корпусе FBGA60 . Напряжение питания: 3...3.6 В . Рабочая температура: 0...70 °C .

14
склад VD MAIS
1+ : 71,64
IS42S32400B-7TL IS42S32400B-7TL
Производитель: ISS

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 86TSOP

12
склад VD MAIS
1+ : 108,14
MT41K512M16HA-107:A MT41K512M16HA-107:A
Производитель: MICRON

IC SDRAM DDR3 8G 512MX16 FBGA96

10
склад VD MAIS
1+ : 611,90
700+ : 557,51
1500+ : 530,31
K4S641632F-TC75 K4S641632F-TC75
Производитель: SAMSUNG

МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)

10
склад VD MAIS
1+ : 42,66
0+ : 39,40
MT41J256M16HA-125:E MT41J256M16HA-125:E
Производитель: MICRON

256MX16 DDR3 SDRAM PLASTIC COMMERCIAL PBF FBGA 1.5V

7
склад VD MAIS
1+ : 264,65
0+ : 245,22