Память динамическая (DRAM)

Название VD MAIS НАЗВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ Характеристики Доступность ЦЕНА ЗА ЕД. ГРН
Подробнее об НДС
IS43R16320D-5BLI IS43R16320D-5BLI
Производитель: ISSI

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA

110
склад VD MAIS
1+ : 290,70
K4S641632F-TC75 K4S641632F-TC75
Производитель: SAMSUNG

МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)

90
склад VD MAIS
1+ : 61,45
0+ : 58,27
MT46V16M16CY-5B IT:M MT46V16M16CY-5B IT:M
Производитель: MICRON

IC DDR SDRAM 256Mbit(16Mx16) PAR 5NS TFBGA60 [-40;85]'C

80
склад VD MAIS
1+ : 208,24
TMS44C256D1 TMS44C256D1
Производитель: TI

Dynamic RAM

25
склад VD MAIS
1+ : 30,40
AS4C16M16MSA-6BIN AS4C16M16MSA-6BIN
Производитель: ALLIANCE

DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT

20
склад VD MAIS
1+ : 289,29
0+ : 267,86
HYB25D512160CF-5 HYB25D512160CF-5
Производитель: QIMONDA

RAM память, объёмом 512 Мбит, в корпусе FBGA60 . Напряжение питания: 3...3.6 В . Рабочая температура: 0...70 °C .

14
склад VD MAIS
1+ : 101,57
K4S281632K-UC75 K4S281632K-UC75
Производитель: SAMSUNG

28Mb (8M X 16) F-die SDRAM LVTTL 133MHz CL=3 54pin TSOP(II) 0°C ~ 70°C Lead Free

13
склад VD MAIS
1+ : 92,47
16+ : 86,66
120+ : 80,69
IS42S32400B-7TL IS42S32400B-7TL
Производитель: ISS

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 86TSOP

12
склад VD MAIS
1+ : 140,38
K4S641632F-TC75 K4S641632F-TC75
Производитель: SAMSUNG

МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)

10
склад VD MAIS
1+ : 60,48
0+ : 55,87
MT41J256M16HA-125:E MT41J256M16HA-125:E
Производитель: MICRON

256MX16 DDR3 SDRAM PLASTIC COMMERCIAL PBF FBGA 1.5V

7
склад VD MAIS
1+ : 375,25
0+ : 347,70