Память динамическая (DRAM)

Память асинхроонная DRAM (1)

Память синхроонная DRAM (85)

Сортировать

На складе VD MAIS

Фильтр по параметрам

	Название VD MAIS	НАЗВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ	Характеристики	Доступность	ЦЕНА ЗА ЕД. ГРН	Подробнее об НДС
	IS43R16320D-5BLI	IS43R16320D-5BLI	Производитель: ISSI DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA	110 склад VD MAIS	1+ : 290,70	Количество:
	K4S641632F-TC75	K4S641632F-TC75	Производитель: SAMSUNG МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)	90 склад VD MAIS	1+ : 61,45 0+ : 58,27	Количество:
	MT46V16M16CY-5B IT:M	MT46V16M16CY-5B IT:M	Производитель: MICRON IC DDR SDRAM 256Mbit(16Mx16) PAR 5NS TFBGA60 [-40;85]'C	80 склад VD MAIS	1+ : 208,24	Количество:
	TMS44C256D1	TMS44C256D1	Производитель: TI Dynamic RAM	25 склад VD MAIS	1+ : 30,40	Количество:
	AS4C16M16MSA-6BIN	AS4C16M16MSA-6BIN	Производитель: ALLIANCE DRAM 256M 166MHz 16Mx16 Mobile LP SDRAM IT	20 склад VD MAIS	1+ : 289,29 0+ : 267,86	Количество:
	HYB25D512160CF-5	HYB25D512160CF-5	Производитель: QIMONDA RAM память, объёмом 512 Мбит, в корпусе FBGA60 . Напряжение питания: 3...3.6 В . Рабочая температура: 0...70 °C .	14 склад VD MAIS	1+ : 101,57	Количество:
	K4S281632K-UC75	K4S281632K-UC75	Производитель: SAMSUNG 28Mb (8M X 16) F-die SDRAM LVTTL 133MHz CL=3 54pin TSOP(II) 0°C ~ 70°C Lead Free	13 склад VD MAIS	1+ : 92,47 16+ : 86,66 120+ : 80,69	Количество:
	IS42S32400B-7TL	IS42S32400B-7TL	Производитель: ISS 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 86TSOP	12 склад VD MAIS	1+ : 140,38	Количество:
	K4S641632F-TC75	K4S641632F-TC75	Производитель: SAMSUNG МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)	10 склад VD MAIS	1+ : 60,48 0+ : 55,87	Количество:
	MT41J256M16HA-125:E	MT41J256M16HA-125:E	Производитель: MICRON 256MX16 DDR3 SDRAM PLASTIC COMMERCIAL PBF FBGA 1.5V	7 склад VD MAIS	1+ : 375,25 0+ : 347,70	Количество: