Память динамическая (DRAM)



Тип монтажа
Объем памяти
Формат памяти
Тип памяти
Напряжение питания
Технология
Корпус
Интерфейс памяти
Время записи слова, стр.
Корпус (в поставке)
Рабочая температура

Изображение Наименование на фирме НАИМЕНОВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ Характеристика Наличие ЦЕНА ЗА ЕД.
ГРН, БЕЗ НДС
IS43R16320D-5BLI IS43R16320D-5BLI
Производитель: ISSI

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA

110
1+ : 211,14
K4S641632F-TC75 K4S641632F-TC75
Производитель: SAMSUNG

МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)

100
1+ : 44,63
10+ : 42,32
100+ : 39,10
TMS44C256D1 TMS44C256D1
Производитель: TI

Dynamic RAM

25
1+ : 22,08
IS42S32400B-7TL IS42S32400B-7TL
Производитель: ISS

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 86TSOP

12
1+ : 107,62
1+ : 99,65
1+ : 91,68
MT41K512M16HA-107 MT41K512M16HA-107:A
Производитель: MICRON

IC SDRAM DDR3 8G 512MX16 FBGA96

10
1+ : 630,16
700+ : 574,15
1500+ : 546,14
K4S641632F-TC75 K4S641632F-TC75
Производитель: SAMSUNG

МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ, SDRAM, 1M x 16 bit x 4 Banks, 54pin TSOP (II)

10
1+ : 43,93
10+ : 40,58
100+ : 36,89
MT47H128M16RT-25E:C MT47H128M16RT-25E:C
Производитель: MICRON

IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 84FBGA

4
1+ : 304,19
1+ : 281,66
1+ : 259,13
K4M561633G-BN750 K4M561633G-BN750
Производитель: SAMSUNG

SDRAM 256M(16Mx16) 7.5NS -25/+80C 3V

3
1+ : 103,04
1+ : 95,41
1+ : 87,78
IS42S32800J-7TL IS42S32800J-7TL
Производитель: ISS

eef

2
1+ : 202,63
1+ : 187,94
1+ : 183,54
AS4C16M16SA-6TIN AS4C16M16SA-6TIN
Производитель: ALLIANCE MEMORY

IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP

2
1+ : 93,67