Дискретные полупроводниковые приборы

Диоды, диодные мосты, сборки, модули (4393)

Транзисторы, транзисторные модули (4453)

Сортировать

Тип монтажа

Корпус

Усиление

Мощность

Тип выхода

Технология

Частота

Погрешность

Рабочая температура

Номинальное напряжение

Выходной ток

Номинальный ток

Тип

Корпус (в поставке)

Скорость

Температурный коэффициент

Количество выходов

Габаритные размеры

Прямое напряжение

Свойства

Встроенный

Терморезистор с отр. ТКС

Защита силовой линии

Интерфейс передачи данных

Тип IGBT

Конфигурация

Вход

Тип диода

Состав

Характеристики FET

Тип SCR

Тип тиристора

Тип входа

Состав

Тип переключателя

Тип датчика

Тип транзистора

Тип полевого транзистора

Напряжение питания

Цепь перехода через ноль

Конфигурация драйвера

Конфигурация выхода

Тип канала

Тип затвора

Рабочий режим

Защита от неисправностей

Сертификация

Используемая микросхема

Коэффициент емкости

Состав поставки

Тип аксессуара

Напряжение пробоя (мин)

Емкость @ Vr, F

Td (вкл. / выкл.), при 25 ° C

Заряд затвора (макс.)

Частота перехода

I стока, постоянный, при 25 ° C

Пиковый ток (импульс 10/1000 мкс)

Рассеив. мощность (макс.)

Ток средн. выпрям. на диод

Энергия переключения

Rds On (макс.) @ Id, Vgs

Условия испытаний

Входная емкость (макс.)

Максимальная мощность

Фикс. напр. смещен. (макс.)

Бросок тока (неповторяем.)

Емкость при частоте

Vgs(th) (макс.) @ Id

Напряжение обратное (тип)

Напряжение откл. (макс.)

Vce (макс.) @ Ib, Ic

Сопрот. при прямом токе

Мощность - пиков. импульс

Усиление hFE (мин.) @ Ic, Vce

Ток средн. выпрямлен.

Управляющ. напряжение

Напряжение на зажимах

Обратн. пик. напр. (макс.)

Напряжение затвор-исток

Ток на коллекторе (макс.)

Выходная мощность

Напряжение в выкл.

Емкость

Ток отсечки колл. (макс.)

Время нарастан./затухан.

Vce (вкл.) (Макс.)

Напряжение под нагрузкой

Время включения

Напряжение питания

Напряжение прерывания

Класс изоляции

Rds On (Тип)

Коэффициент шума

Сопр. Эмиттер-база (R2)

Резистор - база (R1)

Напряжение рабочее

Конфигурация диода

Помехи (дБ Тип @ f)

Макс. постоянное напряжение

Vgs (макс.)

Q @ Vr, F

Рабоч. Температура

Кол-во тринисторов, диодов

Пуск.ток LED (макс.)

Емкость нагрузки

Напряжение ограничения

dV/dt (мин.)

Коэффициент вход/выход

Темпер. диапазон измерен.

Лог.уровень - нижн./верхн.

Удерживающий ток

Профиль на плате (макс.)

Частотная стабильность

Допуст. отклонение частоты

Пиковый выходн. Ток

Есть на складе VD MAIS

Сбросить фильтры

Изображение	Наименование на фирме	НАИМЕНОВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ	Характеристика	Наличие	ЦЕНА ЗА ЕД. ГРН, БЕЗ НДС
	BZV55C8V2	BZV55-C8V2,115	Производитель: NEXPERIA Стабилитрон 500mW 8.2V 5% SOD80	133257	50+ : 0,37 1000+ : 0,34 2500+ : 0,31	Количество:
	BC817-40	BC817-40,215	Производитель: NEXPERIA NPN. 45V. 500mA. H=250-600 SOT23	104435	50+ : 0,28 500+ : 0,26 5000+ : 0,24	Количество:
	BC857C	BC857C	Производитель: SUNTAN PNP general purpose transistor, 45V, 100mA, H=420-800, f=100MHz SOT23	64729	50+ : 0,22 3000+ : 0,20 12000+ : 0,19	Количество:
	BC846B	BC846B	Производитель: SUNTAN NPN, 65V, 100mA, H=200-450, SOT23	48533	50+ : 0,20 3000+ : 0,19 12000+ : 0,18	Количество:
	BC847C	BC847C	Производитель: SUNTAN NPN. 45V. 100mA. H=400-830. SOT23-3	48310	50+ : 0,20 3000+ : 0,19 12000+ : 0,17	Количество:
	BC807-40	BC807-40	Производитель: SUNTAN PNP. 45V. 500mA. H=250-600. SOT23	35397	50+ : 0,23 3000+ : 0,22 12000+ : 0,20	Количество:
	BZX85C15	BZX85C15	Производитель: VISHAY DIODE ZENER 1.3W 15V 5% DO-41	34724	10+ : 1,13 100+ : 0,000	Количество:
	BZV55C12	TZMC12-GS08	Производитель: VISHAY Стабилитрон 500mW 12V 5% SOD80	30297	50+ : 0,39 500+ : 0,36 5000+ : 0,33	Количество:
	US1M	US1M SMA-J T&R	Производитель: SUNTAN DIODE ULTRA-FST GPP 1000V 1A 75ns SMA	23969	10+ : 0,45 1000+ : 0,34 2500+ : 0,29	Количество:
	BZV55B13	BZV55-B13,115	Производитель: NXP Стабилитрон 500mW 13V 2% SOD80	22349	10+ : 0,51 100+ : 0,47 1000+ : 0,43	Количество: