Дискретные полупроводниковые приборы



Тип монтажа
Корпус
Усиление
Мощность
Тип выхода
Технология
Частота
Погрешность
Рабочая температура
Номинальное напряжение
Выходной ток
Номинальный ток
Тип
Корпус (в поставке)
Скорость
Температурный коэффициент
Количество выходов
Габаритные размеры
Прямое напряжение
Свойства
Встроенный
Терморезистор с отр. ТКС
Защита силовой линии
Интерфейс передачи данных
Тип IGBT
Конфигурация
Вход
Тип диода
Состав
Характеристики FET
Тип SCR
Тип тиристора
Тип входа
Состав
Тип переключателя
Тип датчика
Тип транзистора
Тип полевого транзистора
Напряжение питания
Цепь перехода через ноль
Конфигурация драйвера
Конфигурация выхода
Тип канала
Тип затвора
Рабочий режим
Защита от неисправностей
Сертификация
Используемая микросхема
Коэффициент емкости
Состав поставки
Тип аксессуара
Напряжение пробоя (мин)
Емкость @ Vr, F
Td (вкл. / выкл.), при 25 ° C
Заряд затвора (макс.)
Частота перехода
I стока, постоянный, при 25 ° C
Пиковый ток (импульс 10/1000 мкс)
Рассеив. мощность (макс.)
Ток средн. выпрям. на диод
Энергия переключения
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
Условия испытаний
Входная емкость (макс.)
Максимальная мощность
Фикс. напр. смещен. (макс.)
Бросок тока (неповторяем.)
Емкость при частоте
Vgs(th) (макс.) @ Id
Напряжение обратное (тип)
Напряжение откл. (макс.)
Vce (макс.) @ Ib, Ic
Сопрот. при прямом токе
Мощность - пиков. импульс
Усиление hFE (мин.) @ Ic, Vce
Ток средн. выпрямлен.
Управляющ. напряжение
Напряжение на зажимах
Обратн. пик. напр. (макс.)
Напряжение затвор-исток
Ток на коллекторе (макс.)
Выходная мощность
Напряжение в выкл.
Емкость
Ток отсечки колл. (макс.)
Время нарастан./затухан.
Vce (вкл.) (Макс.)
Напряжение под нагрузкой
Время включения
Напряжение питания
Напряжение прерывания
Класс изоляции
Rds On (Тип)
Коэффициент шума
Сопр. Эмиттер-база (R2)
Резистор - база (R1)
Напряжение рабочее
Конфигурация диода
Помехи (дБ Тип @ f)
Макс. постоянное напряжение
Vgs (макс.)
Q @ Vr, F
Рабоч. Температура
Кол-во тринисторов, диодов
Пуск.ток LED (макс.)
Емкость нагрузки
Напряжение ограничения
dV/dt (мин.)
Коэффициент вход/выход
Темпер. диапазон измерен.
Лог.уровень - нижн./верхн.
Удерживающий ток
Профиль на плате (макс.)
Частотная стабильность
Допуст. отклонение частоты
Пиковый выходн. Ток

Изображение Наименование на фирме НАИМЕНОВАНИЕ У ПРОИЗВОДИТЕЛЯ Характеристика Наличие ЦЕНА ЗА ЕД.
ГРН, БЕЗ НДС
BZV55C8V2 BZV55-C8V2,115
Производитель: NEXPERIA

Стабилитрон 500mW 8.2V 5% SOD80

133257
50+ : 0,37
1000+ : 0,34
2500+ : 0,31
BC817-40 BC817-40,215
Производитель: NEXPERIA

NPN. 45V. 500mA. H=250-600 SOT23

104435
50+ : 0,28
500+ : 0,26
5000+ : 0,24
BC857C BC857C
Производитель: SUNTAN

PNP general purpose transistor, 45V, 100mA, H=420-800, f=100MHz SOT23

64729
50+ : 0,22
3000+ : 0,20
12000+ : 0,19
BC846B BC846B
Производитель: SUNTAN

NPN, 65V, 100mA, H=200-450, SOT23

48533
50+ : 0,20
3000+ : 0,19
12000+ : 0,18
BC847C BC847C
Производитель: SUNTAN

NPN. 45V. 100mA. H=400-830. SOT23-3

48310
50+ : 0,20
3000+ : 0,19
12000+ : 0,17
BC807-40 BC807-40
Производитель: SUNTAN

PNP. 45V. 500mA. H=250-600. SOT23

35397
50+ : 0,23
3000+ : 0,22
12000+ : 0,20
BZX85C15 BZX85C15
Производитель: VISHAY

DIODE ZENER 1.3W 15V 5% DO-41

34724
10+ : 1,13
100+ : 0,000
BZV55C12 TZMC12-GS08
Производитель: VISHAY

Стабилитрон 500mW 12V 5% SOD80

30297
50+ : 0,39
500+ : 0,36
5000+ : 0,33
US1M US1M SMA-J T&R
Производитель: SUNTAN

DIODE ULTRA-FST GPP 1000V 1A 75ns SMA

23969
10+ : 0,45
1000+ : 0,34
2500+ : 0,29
BZV55B13 BZV55-B13,115
Производитель: NXP

Стабилитрон 500mW 13V 2% SOD80

22349
10+ : 0,51
100+ : 0,47
1000+ : 0,43